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國(guó)內(nèi)庫(kù)存：SI2300DS-T1-GE3

品牌：Vishay
描述：原裝現(xiàn)貨
單價(jià)：面議
封裝：SOT23
系列：MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 規(guī)格 FET 類型 N 溝道技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss） 30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.6A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 68 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 10nC @ 10V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），1.7W（Tc）工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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制造商：Vishay

描述：原裝現(xiàn)貨

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封裝：SOT23

制造商:Vishay Siliconix 制造商零件編號(hào):SI2300DS-T1-GE3 描述：MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 規(guī)格 FET 類型 N 溝道技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss） 30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.6A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 68 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 10nC @ 10V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），1.7W（Tc）工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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